- Verarmungskapazität
- fёмкость обеднённого (ионами) слоя
Deutsch-Russische Wörterbuch der Chemie. 2014.
Deutsch-Russische Wörterbuch der Chemie. 2014.
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia